他们最近在硅谷设立了一个新的研发实验室，这次在硅谷设立研发实验室将会进一步加强他们在3D DRAM领域内的竞争优势，并一直保持着这个优势，展示了实际半导体实现的3D DRAM技术，以提高单颗芯片的容量至100G以上，他们的成功离不开不断创新和技术开发，三星电子已经在2013年将3D垂... ，同时，他们最近在硅谷设立了一个新的研发实验室，三星电子也发表了一篇包含3D DRAM研究成果的论文，并一直保持着这个优势，如若转载，请注明来源：三星电子在硅谷建立3D DRAM研发实验室 大幅提升容量https://news.zol.com.cn/853/8539987.html https://news.zol.com.cn/853/8539987.html news.zol.com.cn true 中关村在线 https://news.zol.com.cn/853/8539987.html report 618 三星电子在1993年超过东芝成为全球最大的DRAM制造商，该实验室由三星电子设备解决方案部门首席技术官、半导体研发机构主管Song Jae-hyeok领导， 三星电子在1993年超过东芝成为全球最大的DRAM制造商，该实验室由三星电子设备解决方案部门首席技术官、半导体研发机构主管Song Jae-hyeok领导。

三星电子已经在2013年将3D垂直结构NAND闪存芯片商业化，在去年10月份表示计划将新的3D结构用于10nm及以下制程工艺的DRAM，新闻热点大事件 ，专注于研发下一代3D DRAM产品，并提供了详细图像， 本文属于原创文章，专注于研发下一代3D DRAM产品， 三星电子一直是存储芯片市场的领先者，。

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